株洲科能分子束外延（MBE）級高純鎵通過中科院半導體研究所試用
近日，中國科學院半導體研究所使用我司生產的MBE級高純鎵用于分子束外延GaAs基材料的生長，先后生長了非摻雜GaAs薄膜和AlGaAs/GaAs二維電子氣材料，使用效果良好，完全滿足分子束外延高端材料生長的使用要求。
近日，中國科學院半導體研究所使用我司生產的MBE級高純鎵用于分子束外延GaAs基材料的生長，先后生長了非摻雜GaAs薄膜和AlGaAs/GaAs二維電子氣材料，使用效果良好，完全滿足分子束外延高端材料生長的使用要求。