氧化鎵是一種半導(dǎo)體材料，其帶隙大于硅，氮化鎵和碳化硅，但在成為電力電子產(chǎn)品的主要參與者之前需要更多的研發(fā)。

半導(dǎo)體世界可能會有一個(gè)新的參與者，它以氧化鎵技術(shù)的形式出現(xiàn)。 根據(jù)布法羅大學(xué)（UB）工程與應(yīng)用科學(xué)學(xué)院電氣工程副教授Uttam Singisetti博士的說法，這種材料可以在改善電動汽車，太陽能和其他形式的可再生能源方面發(fā)揮關(guān)鍵作用。 他說，“我們需要具有更強(qiáng)大和更高效的電源處理能力的電子元件。氧化鎵開辟了我們用現(xiàn)有半導(dǎo)體無法實(shí)現(xiàn)的新可能性?！?/p>

電子工業(yè)正在盡可能地將硅作為半導(dǎo)體最大化，這就是為什么研究人員正在探索其他材料，如碳化硅，氮化鎵和氧化鎵。氧化鎵具有差的導(dǎo)熱性，但其帶隙（約4.8電子伏特或eV）超過碳化硅（約3.4eV），氮化鎵（約3.3eV）和硅（1.1eV）的帶隙。

帶隙測量將電子搖動到導(dǎo)電狀態(tài)所需的能量。 采用高帶隙材料制成的系統(tǒng)可以比由帶隙較低的材料組成的系統(tǒng)更薄，更輕，并且處理更多的功率。此外，高帶隙使得可以在更高的溫度下操作這些系統(tǒng)，從而減少對龐大的冷卻系統(tǒng)的需求。

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